DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設備DPC 陶瓷基板具備高線路精準度、高表面平整度、高絕緣及高導熱的特性，在半導體功率器件封裝領域迅速占據(jù)了重要的市場地位，廣泛應用于大功率 LED、半導體激光器、 VCSEL等領域。直接鍍銅（...

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17 2023-03

VCSEL激光器為什么要用DPC陶瓷基板

DPC陶瓷基板具備了高導熱、高絕緣、高線路精準度、高表面平整度及熱膨脹系數(shù)與芯片匹配、可垂直互連等諸多特性，極大滿足了VCSEL的封裝要求，在VCSEL的應用方面具有廣泛的前景。

DPC陶瓷基板

16 2023-03

IGBT模塊構成各部件的材料

目前，功率器件和模塊主要采用引線鍵合的互連工藝和平面封裝結構。圖1為普通IGBT模塊的結構示意圖。從上圖可以看出，IGBT模塊共由7層結構構成，大致可以分成三部分：芯片、DBC和散熱基板。每部分之間由焊錫連接而成。IGBT是在晶閘管的基礎上...

IGBT模塊

15 2023-03

PCB平衡銅設計規(guī)范詳解

PCB制造是按照的一組規(guī)范從 PCB 設計構建物理 PCB的過程。對設計規(guī)范的理解非常重要，因為它會影響 PCB 的可制造性、性能和生產(chǎn)良率。要遵循的重要設計規(guī)范之一是PCB 制造中的“平衡銅” 。必須在 PCB 疊層的每一層中實現(xiàn)一致的銅...

PCB

13 2023-03

碳化硅行業(yè)研究：把握能源升級+技術迭代的成長機遇

下一代功率器件關鍵技術：碳化硅近年來，隨著 5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時限制體積、發(fā)熱和成本的快速 膨脹成為了半導體產(chǎn)業(yè)內重點關注的問題，以碳化硅為首的第...

氮化硅陶瓷基板

13 2023-03

IGBT模塊材料特性的熱導率和熱膨脹系數(shù)

IGBT功率模塊內部由多層堆疊而成，各層的材料不同，其主要的作用也不同。金屬、陶瓷、硅凝膠和環(huán)氧樹脂塑料等，是目前功率半導體器件封裝的主要材料。不同材料的不同特性對IGBT器件的整體性能有著十分重要的影響，其中最主要的是影響散熱效果的材料熱...

IGBT陶瓷基板

10 2023-03

制備高導熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但高導熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到...

氮化硅陶瓷基板