DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備DPC 陶瓷基板具備高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度、高絕緣及高導(dǎo)熱的特性，在半導(dǎo)體功率器件封裝領(lǐng)域迅速占據(jù)了重要的市場地位，廣泛應(yīng)用于大功率 LED、半導(dǎo)體激光器、 VCSEL等領(lǐng)域。直接鍍銅（...

查看更多 +

15 2023-05

車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱基板技術(shù)

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對(duì)新能源汽車性能需求的提高仍在不斷提升。電機(jī)控制器內(nèi)IGBT功率模塊長時(shí)...

散熱基板

12 2023-05

陶瓷基板研磨拋光的三大好處

陶瓷基片在進(jìn)行金屬化之前，大多需要對(duì)陶瓷基板進(jìn)行表面研磨拋光，有單、雙面兩種方式。主要是為了去除其表面的附著物、平整度的改善、得到更薄的金屬化層等。所以研磨拋光對(duì)于陶瓷基板來說至關(guān)重要，會(huì)直接影響到陶瓷金屬化的效果。

陶瓷基板

10 2023-05

IGBT模塊的失效形式

作為新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)的重要單元，IGBT模塊得到越來越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發(fā)展成熟，應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，是由多種材料組合封裝而成，IGBT模塊的內(nèi)部發(fā)熱量隨...

IGTB模塊封裝

08 2023-05

LTCC低溫共燒陶瓷基片的流延成型工藝

基于LTCC為基礎(chǔ)的多層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可有效減小器件體積，是實(shí)現(xiàn)元器件向小型化、集成化、高可靠性和低成本發(fā)展的重要途徑。LTCC基板的制備核心技術(shù)是高質(zhì)量基片的坯體成型，目前的成型方法主要有流延、干壓、軋膜等，其中流延法生產(chǎn)效率高，自動(dòng)化水平高，...

陶瓷基片

08 2023-05

LTCC/HTCC基板在晶圓測試探針卡中的應(yīng)用

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上，主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測試及晶圓封裝四大步驟。其中所謂的晶圓測試，就是對(duì)晶圓上的每顆晶粒進(jìn)行電性特性檢測，以檢測和淘汰晶圓上的不合格晶粒。下面我們一起來了解一下半導(dǎo)體晶圓測試的核心耗材——探針卡，以及探...

LTCC陶瓷基板

04 2023-05

氧化鋁基板制造技術(shù)詳解！

具有多種同質(zhì)異晶體； a（三方）、b（六方）、g（四方）、h（等軸）、r（晶系未定）、x（六方）、k（六方）、δ（四方）、θ（單斜）-A12O3等十多種變體； 主要有a（三方）、b（六方）、g（四方）相； a-A12O3為...

氧化鋁陶瓷基板