DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備DPC 陶瓷基板具備高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度、高絕緣及高導(dǎo)熱的特性，在半導(dǎo)體功率器件封裝領(lǐng)域迅速占據(jù)了重要的市場(chǎng)地位，廣泛應(yīng)用于大功率 LED、半導(dǎo)體激光器、 VCSEL等領(lǐng)域。直接鍍銅（...

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14 2023-06

陶瓷封裝將成為主流電子封裝技術(shù)

電子元件長(zhǎng)期在高溫、高濕等環(huán)境下運(yùn)轉(zhuǎn)將導(dǎo)致其性能惡化，甚至可能會(huì)被破壞。因而，需要采用有效的封裝方式，不斷提高封裝材料的性能，才能使得電子元件在外界嚴(yán)苛的使用環(huán)境下保持良好的穩(wěn)定性。

陶瓷封裝

12 2023-06

除了陶瓷基板，IGBT模塊還有哪些主要材料？（實(shí)物圖）

IGBT是一種新型的電力電子器件，其基本結(jié)構(gòu)是在晶體管的基極和發(fā)射極之間加入絕緣層以及一個(gè)控制電極。

陶瓷基板

09 2023-06

DBC直接覆銅技術(shù)中銅箔預(yù)氧化的影響因素

直接覆銅技術(shù)（DBC）是一種基于氧化鋁陶瓷基板金屬化的技術(shù)，最早出現(xiàn)于20世紀(jì)70年代。DBC技術(shù)是利用銅的含氧共晶液將銅直接與陶瓷進(jìn)行敷接的一項(xiàng)技術(shù)，其基本原理是先通過(guò)預(yù)氧化的方法在銅箔中引入氧，在1065~1083℃范圍內(nèi)，銅與氧會(huì)形成...

DBC覆銅技術(shù)

09 2023-06

DPC陶瓷基板國(guó)產(chǎn)化突破，下游多點(diǎn)開花成長(zhǎng)空間廣闊

熱是影響大功率半導(dǎo)體器件可靠性的關(guān)鍵因素，根據(jù)化合積電，電子元器件 55%故障率來(lái)自熱失效，電子元器件溫度每升高 2 度，可靠性下降 10%。電子元 器件器件熱管理包括封裝和系統(tǒng)性能兩個(gè)部分。從封裝角度出發(fā)，器件散熱主要 依靠熱傳導(dǎo)方式，熱...

DPC陶瓷基板

07 2023-06

“多才多藝”的氧化鋁陶瓷基板

陶瓷基板以其優(yōu)良的導(dǎo)熱性和氣密性，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子和多芯片模塊等領(lǐng)域。氧化鋁陶瓷具有原料來(lái)源豐富、價(jià)格低廉、機(jī)械強(qiáng)度和硬度較高、絕緣性能、耐熱沖擊性能和抗化學(xué)侵蝕性能良好、尺寸精度高、與金屬附著力好等一系列優(yōu)點(diǎn)，是一...

氧化鋁陶瓷基板

05 2023-06

IGBT模塊生產(chǎn)工藝流程及主要設(shè)備

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通...

IGBT模塊