陶瓷電路板散熱、載流能力突出，廣泛應用于大功率場景。陶瓷基板又稱陶瓷電路板，由陶瓷基片和布線金屬層兩部分組成。普通PCB 通常是由銅箔和基板粘合而成，而基板材質大多數(shù)為玻璃纖維（FR-4），酚酸樹脂（FR-3）等材質，粘合劑通常是酚醛、環(huán)氧等。在 PCB 加工過程中由于熱應力、化學因素、生產工藝不當?shù)仍?，或設計過程中由于兩面鋪銅不對稱，很容易導致PCB 板發(fā)生不同程度的翹曲。

根據(jù)材料分類，國內常用陶瓷基板材質主要為 Al2O3、AlN 和Si3N4：

1）氧化鋁（Al2O3）最常用。因為在機械、熱、電性能上相對于大多數(shù)其他氧化物陶瓷，強度及化學穩(wěn)定性高，且原料來源豐富，適用于各種各樣的技術制造以及不同的形狀。

2）氮化鋁（AlN）導熱率較高。氮化鋁陶瓷是以氮化鋁粉體為主晶相的陶瓷。相比于氧化鋁陶瓷基板，絕緣電阻、絕緣耐壓更高，介電常數(shù)更低。其熱導率是Al2O3 的 7-10 倍，熱膨脹系數(shù)（CTE）與硅片近似匹配。

3）氮化硅（Si3N4）可靠性優(yōu)秀。氮化硅陶瓷的熱膨脹系數(shù)（2.4ppm/K）較小，與硅芯片（4ppm/K）接近。氮化硅基板具有較高的熱導率、抗彎強度大，其機械性能具有優(yōu)異的耐高溫性能、散熱特性和超高的功率密度。此外，載流能力較高，而且傳熱性也非常好。

根據(jù)封裝結構和應用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝。

AMB（Active Metal Brazing，活性金屬釬焊）工藝技術是DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝技術的進一步發(fā)展。

AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接?；钚院噶贤ㄟ^在普通金屬焊料中添加Ti、Zr、Hf、V、Nb或Ta等稀土元素制備，由于稀土元素具有高活性，可提高焊料熔化后對陶瓷的潤濕性，使陶瓷表面無需金屬化就可與金屬實現(xiàn)焊接。

AMB基板制備技術是DBC基板工藝的改進(DBC基板制備中銅箔與陶瓷在高溫下直接鍵合，而AMB基板采用活性焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間鍵合)，通過選用活性焊料可降低鍵合溫度(低于800°C)，進而降低陶瓷基板內部熱應力。

目前國內的IGBT模塊大部分還是采用DBC工藝，隨著工作電壓、性能要求的不斷提升，AMB工藝技術的陶瓷基板能更好地解決上述痛點，目前該技術不僅在汽車領域，還在航天、軌道交通、工業(yè)電網領域廣泛應用。

AMB 氮化硅基板是第三代 SiC 半導體功率器件首選

一方面，AMB 氮化硅基板具有較高的熱導率（>90W/mK），厚銅層（達 800μm）還具有較高熱容量以及傳熱性。因此，對于對高可靠性、散熱以及局部放電有要求的汽車、風力渦輪機、牽引系統(tǒng)和高壓直流傳動裝置等來說，AMB 氮化硅基板是首選的基板材料。

另一方面，AMB 可將非常厚的銅金屬（厚度可達 0.8mm）焊接到相對較薄的氮化硅陶瓷上。因此，載流能力較高，而且傳熱性也非常好。此外，氮化硅陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第 3 代半導體襯底SiC 晶體接近，使其能夠與 SiC 晶體材料匹配更穩(wěn)定。