當前位置:首頁 ? 行業(yè)動態(tài) ? AMB陶瓷基板應用介紹
在新能源汽車市場暴增刺激下,碳化硅模塊上車的進程大幅超過市場預期,AMB陶瓷基板優(yōu)異導熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。根據(jù)市場研究機構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示,全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元,年復合增長率為7.5%左右。預計到2025年,全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達到約20億美元,年復合增長率為5.5%左右。
相較于主流的DBC工藝,AMB 陶瓷基板結(jié)合強度更高且更耐高溫,目前高鐵、新能源汽車、光伏等領域?qū)τ陔妷旱燃壍囊笾鸩教嵘?,AMB基板由于自身的穩(wěn)定性以及耐高溫屬性較為契合高溫、高電壓工作環(huán)境,認為未來AMB基板將逐漸成為主流。
目前,全球范圍內(nèi)有能力量產(chǎn)AMB基板的公司較少,國內(nèi)份額幾乎被海外公司占據(jù),全球巨頭公司包括美國羅杰斯、德國亨利氏、KCC和部分日企,國內(nèi)產(chǎn)能相對較少。但隨著SiC上車提速,正促使上游SiC產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)加快發(fā)展,帶動AMB受益獲得快速發(fā)展。國內(nèi)AMB基板企業(yè)瞄準市場,迅速入局,加速下游客戶認證,積極擴產(chǎn)。
AMB陶瓷線路板是用活性金屬釬焊漿料將銅箔真空釬焊到陶瓷板上,經(jīng)過高精度蝕刻工藝制成。AMB陶瓷線路板具有可靠性高、載流量大、散熱性能高、機械性憂等特點,是第三代半導體功率器件(IGBT、MOSFET等)關鍵封裝材料。
應用領域&市場背景
陶瓷線路板按照工藝分為 DPC(直接電鍍銅)、DBC(直接鍵合銅)、AMB(活性金屬焊接)、LTCC(低溫共燒陶瓷)、HTCC(高溫共燒陶瓷)等類型。材料方面目前國內(nèi)主流的陶瓷基板材料主要為氧化鋁、氮化鋁和氮化硅,其中氧化鋁最為常見,其通常采用DBC覆銅工藝;氮化鋁陶瓷基板導熱效率較高,主要采用DBC和AMB工藝;氮化硅主要采用AMB工藝制作。
隨著第三代半導體的快速崛起,功率器件朝著集成化、小型化、高功率化等方向發(fā)展,對封裝用線路板提出更高的需求。AMB陶瓷線路板因為其高可靠、高導熱、高載流、高耐壓等眾多優(yōu)點成為第三代半導體功率器件的首選封裝材料。采用AMB工藝的氮化鋁陶瓷線路板(AMB-AlN)主要用于高鐵、高壓變換器、直流送電等高壓、高電流功率半導體中;采用AMB工藝的氮化硅陶瓷線路板(AMB-SiN)主要應用在電動汽車和混合動力車功率半導體中。
隨著800V高壓車型在未來幾年內(nèi)滲透率快速提升,新能源汽車將成為AMB陶瓷線路板最大應用場景,疊加軌道交通、工業(yè)、軍工和光伏領域需求持續(xù)增長,預計2027年全球AMB線路板需求將達到90億元左右,其中半數(shù)需求將來自中國大陸。
AMB陶瓷基板用Ag基粉體及其焊膏產(chǎn)品,產(chǎn)品具有氧含量低、純凈度高、球形度高的特點。
目前,全球范圍內(nèi)有能力量產(chǎn)AMB陶瓷線路板的公司較少,國內(nèi)市場份額幾乎都被美國、德國和日本的少數(shù)企業(yè)所壟斷;國內(nèi)有能力量產(chǎn)AMB陶瓷線路板的公司較少,有能力根據(jù)客戶不同需求進行正向開發(fā)的公司更少。
AMB相關的多方面研究,在釬焊漿料研制、高精度蝕刻、表面狀態(tài)處理、AMB核心裝備等方面。
通過公司研發(fā)團隊的不懈努力,現(xiàn)已成功研發(fā)微小孔板、高精密板、難度板、微型化板、圍壩板等,具備DPC、DBC、HTCC、LTCC等多種陶瓷生產(chǎn)技術,以便為更多需求的客戶服務,開拓列廣泛的市場。
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