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[行業(yè)動態(tài)]AMB與DBA的母工藝——DBC 直接覆銅陶瓷基板工藝

隨著電子設備的不斷進步，芯片集成度的提升和電路設計的緊湊，使得單位面積的功耗顯著增加，導致熱量積累。這不僅影響設備性能，還可能導致組件故障。在這種背景下，直接覆銅（DBC）陶瓷基板憑借出色的導熱和導電性能，成為重要的電子封裝材料，廣泛應用于功率模塊和集成電力電子模塊。

2024-10-16 http://kndpm.com/Article/AMByuDBAdemugongyiDB.html
[行業(yè)動態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎上發(fā)展起來的一種新型復合功率器件，具有輸入阻抗大、驅動功率小、開關速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點，大規(guī)模應用于電動汽車、電力機車里的電機驅動以及并網(wǎng)技術、儲能電站、工業(yè)領域的高壓大電流場合的交直流電轉換和變頻控制等領域，是電力電子領域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟的核“芯”。

2024-03-18 http://kndpm.com/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動態(tài)]銀銅鈦 (AgCuTi) 為何在IGBT上應用

隨著我國新能源汽車、高鐵、城市軌道交通以及智能電網(wǎng)的高速發(fā)展，對高壓大功率IGBT模塊的需求日益增長。相較于其他應用領域，車規(guī)級 IGBT模塊對產(chǎn)品安全、可靠性提出耐高溫、散熱性優(yōu)、工作溫度范圍廣、使用壽命長等更高要求。據(jù)報道，約70%的IGBT模塊失效歸因于散熱不良引起的鍵合線剝離或熔斷。芯片的散熱主要通過IGBT模塊中的陶瓷基板來實現(xiàn)，其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導至熱沉上，從而實現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換。閱讀本文前，歡迎識別二維碼加入艾邦IGBT/SiC產(chǎn)業(yè)鏈交流群。

2024-03-11 http://kndpm.com/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行業(yè)動態(tài)]6種常見的陶瓷與金屬的連接方法，誰能稱霸半導體封裝市場？

陶瓷與金屬封接，最大難點是陶瓷和金屬的熱膨脹系數(shù)相差較大，使得連接完成后的封接界面處會產(chǎn)生較大殘余應力，這不僅會降低接頭強度，也會影響金屬對陶瓷表面的潤濕效果。

2024-01-10 http://kndpm.com/Article/6zhongchangjiandetao.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導率、更好的銅層結合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢；此外，因其加工過程能在一次升溫中完成，操作簡便、時間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國內外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://kndpm.com/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領域得到越來越廣泛的應用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http://kndpm.com/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場規(guī)模和應用發(fā)展

目前，國內常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。無論哪種材料的陶瓷基板，在燒結成型之后，需對其表面實施金屬化，然后通過影像轉移的方法完成表面圖形的制作，以實現(xiàn)陶瓷基板的電氣連接性能。金屬化陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化鋁陶瓷基板主要采用DBC、DPC工藝，氮化鋁陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工藝

2023-10-27 http://kndpm.com/Article/taocijibanpcb.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板市場預計未來3年大增94.27%，國產(chǎn)化需求強烈

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結構技術和互連技術的基礎材料。

2023-10-09 http://kndpm.com/Article/taocijibanshichangyu.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://kndpm.com/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導體器件中的應用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領域得到越來越廣泛的應用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http://kndpm.com/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板助力高功率器件散熱消暑

電路板被很多人譽為電子產(chǎn)品之母，它是計算機、手機等消費電子產(chǎn)品的關鍵部件，在醫(yī)療、航空、新能源、汽車等行業(yè)有著廣泛應用?？v觀全球技術發(fā)展簡史，每一次技術進步都直接或間接影響著全人類。在電路板誕生之前，電子設備都包含許多電線，它們不僅會糾纏在一起，占用大量空間，而且短路的情況也不罕見。這個問題對于電路相關的工作人員來說是個非常頭疼的問題。1925年，來自美國的Charles Ducas提出了一個前所未有的想法，即在絕緣基板上印刷電路圖案，隨后進行電鍍以制造用于布線的導體，專業(yè)術語“PCB”由此而來，這種方法使制造電器電路變得更為簡單。

2023-08-25 http://kndpm.com/Article/taocijibanzhuligaogo.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊用DBC基板的設計

DBC 陶瓷基板的發(fā)展、工藝原理、性能及應用。由于DBC基板的各種優(yōu)良性能，DBC被廣泛應用于各型IGBT模塊中，采用DBC基板的IGBT模塊具有更好的熱疲勞穩(wěn)定性和更高的集成度。

2023-08-21 http://kndpm.com/Article/IGBTmokuaiyongDBCjib.html
[行業(yè)動態(tài)]一文了解 IGBT 模塊封裝用陶瓷襯板技術

IGBT 是電力電子變換中的核心元器件，以低電壓控制大功率電路的斷開與導通，廣泛應用于軌道交通、新能源汽車、軍工航天、工業(yè)機器等領域。隨著我國高鐵、航空航天、混合動力汽車的飛速發(fā)展， IGBT 模塊需要更高的可靠性、更快的開關轉換速度、更低的能量損耗等，因此，需要高可靠性的封裝技術使芯片的優(yōu)勢能夠完全發(fā)揮出來。其中，IGBT 封裝用散熱基板在封裝時起著機械互連和電氣導通的作用，是高可靠性封裝中至關重要的環(huán)節(jié)。

2023-08-14 http://kndpm.com/Article/yiwenliaojieIGBTmoku.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板：高端IGBT模塊基板的應用新趨勢

IGBT陶瓷襯板屬于新的工藝技術，其中AMB工藝技術的陶瓷襯板也逐步應用于新能源汽車的IGBT模塊上。IGBT散熱對于功率模塊的性能是非常重要的，目前國內的IGBT模塊大部分還是采用DBC工藝，但隨著工作電壓、性能要求的不斷提升，AMB工藝技術的陶瓷基板能更好地解決上述痛點。

2023-08-02 http://kndpm.com/Article/AMBtaocijibangaoduan.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的現(xiàn)狀及發(fā)展淺析

陶瓷材料在電子工業(yè)中扮演著重要的角色，其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導率高、化學穩(wěn)定性佳、熱穩(wěn)定性和熔點高等優(yōu)點。在電子線路的設計和制造非常需要這些的性能，因此陶瓷被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導熱通路以及用來制造各種電子元件，廣泛應用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領域。

2023-07-28 http://kndpm.com/Article/taocijibandexianzhua.html
[行業(yè)動態(tài)]2023年AMB陶瓷基板實力企業(yè)榜單

近幾年來，在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進程大幅超過市場預期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。根據(jù)市場研究機構的數(shù)據(jù)顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復合增長率為7.5%左右。預計到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達到約20億美元，年復合增長率為5.5%左右。

2023-07-24 http://kndpm.com/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]鋁基碳化硅（AlSiC）在IGBT上的應用

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標是消除熱結。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設盡量暢通。

2023-06-26 http://kndpm.com/Article/lvjitanhuaguiAlSiCza.html
[行業(yè)動態(tài)]除了陶瓷基板，IGBT模塊還有哪些主要材料？（實物圖）

IGBT是一種新型的電力電子器件，其基本結構是在晶體管的基極和發(fā)射極之間加入絕緣層以及一個控制電極。

2023-06-12 http://kndpm.com/Article/chuliaotaocijibanIGB.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊生產(chǎn)工藝流程及主要設備

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT模塊生產(chǎn)過程主要是把晶圓貼片在陶瓷基板上，鍵合線，插針，點膠密封等過程。在閱讀本文之前，歡迎識別二維碼加入艾邦IGBT產(chǎn)業(yè)微信群；

2023-06-05 http://kndpm.com/Article/IGBTmokuaishengchang.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT焊接層空洞的形成及解決方案

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

2023-05-31 http://kndpm.com/Article/IGBThanjiecengkongdo.html