高多層板用薄型基材在形成內(nèi)層“芯”片的過程中引起尺寸變化，主要來自兩大方面（一）基板材料的熱膨脹系數(shù)；（二）基板材料的熱、機殘余應(yīng)力。今天小編就具體分享一下：

      1） 基板材料的熱膨脹系數(shù)引起內(nèi)層“芯”片尺寸的變化?；宀牧系腃TE對內(nèi)層“芯”片尺寸變化是與基材中樹脂類型、增強材料和基材類型（結(jié)構(gòu)、厚度等）密切相關(guān)的。盡管不同基材中樹脂（如環(huán)氧、BT、PI或PPE/PPO等）的CTE相差很大，但是在形成基材過程中，由于在較小CTE的玻纖布增強材料的抑制和束縛，使各類的基板材料的X、Y向的CTE都出于13ppm/℃~17mmp/℃之間,因此，我們可以通過多層板的內(nèi)層（芯）片的尺寸及其采用的基材類型的CTE而計算出其可能帶來的內(nèi)層（芯）片尺寸的變化。如600mm×800mm的內(nèi)層（芯）片，但溫度升高1℃時，按其CTE，便可計算出其短邊600mm可以要伸長0.0078mm~0.0102mm,長邊800mm可能伸長0.0104mm~0.0136mm,而對角線（1000mm）方向可能伸長0.013mm~0.017mm。對于生產(chǎn)密度不高（特別是精細導線情況）的高層板來說，不僅不能忽略不計，而且應(yīng)格外重視才行。因此，這些高多層板有的基板應(yīng)放于有空調(diào)的條件下（特別是溫度控制）保管。

  至于濕度對基板材料的影響不大，因為基材的表面有覆銅箔層等保護著，但濕度控制仍然需要的，主要是防止在基板表面上（結(jié)露）現(xiàn)象和污染氧化 問題。

1）基板材料內(nèi)熱、機殘余（留）應(yīng)力對內(nèi)層“芯”片尺寸的影響。對不同覆銅板制造商來說，這種熱、機殘余應(yīng)力是不同的。即使是同一覆銅板制造商，器產(chǎn)品的熱、機殘余應(yīng)力也是有差異的。覆銅板，特別是薄型和超薄型（≤0.05mm厚度）覆銅板內(nèi)熱、機殘余應(yīng)力的大小（幅度）和差異程度將反映出一個覆銅板廠的制造和管理水平。

     覆銅板內(nèi)的熱、機殘余應(yīng)力的大小和差異是與覆銅板廠所采用原材料（特別是玻纖布等）等機會生產(chǎn)設(shè)備（如浸膠機、烘干設(shè)備、真空層壓機等）的先進性以及科學管理等密切相關(guān)的。因此，再生產(chǎn)母板或背板和高性能板時，特別是有高密度的孔、連接盤和精細線寬/間距等要求下，除了選擇高Tg與底CTE的覆銅板外，特別是采用薄“芯”材時，最重要的是應(yīng)選擇具有先進設(shè)備與優(yōu)質(zhì)原材料和自動化生產(chǎn)水平高以及先進的生產(chǎn)管理的覆銅板制造商的產(chǎn)品，這樣的覆銅板制造商往往能提供熱、及殘余應(yīng)力小且重復性好的基材，這對于研制和生產(chǎn)質(zhì)量高的高性能多層板是關(guān)鍵的第一步。

     事實上，從基材制造過程可以理解，X和Y方向的CTE是不一樣的，實驗表明，當薄覆銅板（≤0.10mm）基材蝕刻內(nèi)層“芯”片時，X和Y想（緯線）收縮要小于Y向（經(jīng)線）的收縮。同時，由于在制板尺寸一般要小于覆銅板基材，因此，這些在制板形成的內(nèi)層“芯”片的尺寸變化，不僅與在制板的大小尺寸有關(guān)，而且也與覆銅板基材的剪切方法有關(guān)。另外，這些內(nèi)層芯片在制板尺寸變化還與加工步驟和加工方法都會影響內(nèi)層“芯”片的尺寸變化和變化程度。

    內(nèi)層“芯”片生產(chǎn)其X、Y方向受濕處理影響較小。盡管樹脂吸濕能力較大，但因為受到玻纖布增強材料的抑制和束縛，從而限制了內(nèi)層“芯”片X和Y向的尺寸變化，或者說X、Y向隨濕處理的變化尺寸是可忽略不計的。但是對Z向來說，由于沒有玻纖布的抑制和束縛，其吸濕能力是較大的，并隨樹脂類型而不同的，因此，在濕法加工過程中，內(nèi)層“芯”片在制板應(yīng)及時處理并烘干，以減少這些變化。

    總之，覆銅板基材內(nèi)的熱、機殘余應(yīng)力對內(nèi)層“芯”的變化是很大的，特別是薄型或超薄型的覆銅板基材。覆銅板基材內(nèi)熱、機殘余應(yīng)力對內(nèi)層“芯”片尺寸的影響是在圖形轉(zhuǎn)移以后經(jīng)化學蝕刻才體現(xiàn)出來的。這種覆銅板基材內(nèi)熱、機應(yīng)力對內(nèi)層“芯片”尺寸的影響，大多處于200ppm/℃~~600ppm/℃之間，這可以通過實驗或首批生產(chǎn)的檢測而得到，并計算出其調(diào)整值。更多工藝和多層電路板打樣和批量生產(chǎn)可以咨詢金瑞欣官網(wǎng)。