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AMB活性金屬釬焊法,陶瓷與金屬的完美結(jié)合

15 2023-12-11
AMB陶瓷基板

AMB(Active Metal Brazing)即活性金屬釬焊法,這是一種在DBC技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的將陶瓷與金屬封接的方法。


相比于傳統(tǒng)的DBC基板,采用AMB工藝制備的陶瓷基板,不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力,而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢(shì);此外,因其加工過程能在一次升溫中完成,操作簡(jiǎn)便、時(shí)間周期短、封接性能好并且對(duì)陶瓷的適用范圍廣,所以該工藝在國內(nèi)外發(fā)展較快,成為了電子器件中常用的一種方法。

AMB工藝描述

AMB實(shí)施中,是在釬料中加入活性元素,通過化學(xué)反應(yīng)在陶瓷表面形成反應(yīng)層,提高釬 料在陶瓷表面的潤(rùn)濕性,從而使得陶瓷與金屬之間直接進(jìn)行釬焊封接。

在制備中,主要選用Ti、Zr、Hf等金屬元素做焊料,原因是他們?cè)谠刂芷诒硖幱谶^渡區(qū)間,能夠與陶瓷表面的氧、碳、氮或硅發(fā)生化學(xué)鍵合,與Cu、Ni、Ag-Cu等在低于各自熔點(diǎn)的溫度下形成合金,從而在陶瓷表面形成一個(gè)反應(yīng)層,為陶瓷表面增加更高程度的金屬特性,使釬焊合金能夠有效地潤(rùn)濕和擴(kuò)散。此外,反應(yīng)層還可以在熱膨脹系數(shù)不匹配接頭表面形成過渡層來減少熱引起的殘余應(yīng)力。


值得注意的是,AMB的封接性能相比通過金屬化法制備樣品的性能偏低。因此,亟待研發(fā)出高性能的AMB工藝來提高釬焊產(chǎn)品的質(zhì)量。


通常,活性元素含量在2wt.%~8wt.%之間有較好的活性,當(dāng)活性元素的含量過高時(shí)會(huì)造成釬料的脆性增大,從而降低封接面的強(qiáng)度,當(dāng)活性元素的含量過 低時(shí),會(huì)導(dǎo)致釬料對(duì)陶瓷的潤(rùn)濕性降低,造成封接不易完成。

AMB的三種陶瓷材料

AMB 工藝生產(chǎn)的陶瓷襯板主要運(yùn)用在功率半導(dǎo)體模塊上作為硅基、碳化基功率芯片的基底。目前,成熟應(yīng)用的AMB陶瓷基板主要有:氧化鋁、氮化鋁和氮化硅基板。


目前,Al2O3覆銅陶瓷基板主要應(yīng)用在LED等小功率散熱器件中、AlN 和 Si3N4覆銅陶瓷基板主要應(yīng)用在高鐵和風(fēng)力發(fā)電等大功率IGBT模塊中。


01

Al2O3陶瓷基板

Al2O3陶瓷來源廣泛、成本最低,是性價(jià)比最高的AMB陶瓷基板,工藝最為成熟。具有強(qiáng)度高、硬度高、耐高溫、抗腐蝕、耐磨以及絕緣性能好等優(yōu)異特性。


但由于氧化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率低、散熱能力有限,AMB氧化鋁基板多用于功率密度不高且對(duì)可靠性沒有嚴(yán)格要求的領(lǐng)域。

AMB陶瓷板

目前,經(jīng)過數(shù)代科研人員針對(duì) Al2O3陶瓷的 AMB 工藝做了一系列的研究和探討,總結(jié)了一些典型的 Al2O3陶瓷活性釬焊的系統(tǒng)體系,如下表:


釬焊 Al2O3 陶瓷的典型釬料、工藝參數(shù)、反應(yīng)產(chǎn)物及接頭強(qiáng)度

02

AlN 陶瓷基板

AlN 陶瓷由于具有高熱導(dǎo)率(理論熱導(dǎo)率 319 W/(m·K))、低介電常數(shù)、與單 晶硅相匹配的熱膨脹系數(shù)及良好的電絕緣性能,具有比傳統(tǒng)的 Al2O3和 BeO 基板材 料更優(yōu)的性質(zhì),因而成為微電子工業(yè)中電路基板封裝的理想材料。 


目前,采用 AMB工藝的氮化鋁陶瓷基板(AMB-AlN)主要用于高鐵、高壓變換器、直流送電等高壓、高電流功率半導(dǎo)體中。但由于機(jī)械強(qiáng)度相對(duì)較低,AMB-AlN覆銅基板的高低溫循環(huán)沖擊壽命有限,從而限制了其應(yīng)用范圍。 

03

Si3N4陶瓷基板

AMB-SiN陶瓷基板具有較高的熱導(dǎo)率(>90W/mK)、厚銅層(達(dá) 800μm)以及較高熱容量和傳熱性。特別是將較厚的銅層焊接到相對(duì)較薄的AMB-SiN陶瓷上時(shí),其載流能力更高、傳熱性更好。


此外,AMB-SiN 陶瓷 基板的熱膨脹系數(shù)(2.4ppm/K)與 SiC 芯片(4ppm/K)接近,具有良好的熱匹配性,適用于裸芯片的可靠封裝。


目前,在高可靠性、高散熱以及局部放電等方面有要求的新能源汽車、光伏逆變器、風(fēng)力渦輪機(jī)和高壓直流傳動(dòng)裝置等應(yīng)用場(chǎng)景,AMB-SiN 陶瓷基板是首選的基板材料。


據(jù)統(tǒng)計(jì),當(dāng)前 600V 以上功率半導(dǎo)體所用的陶瓷基板主要采用 DBC 和 AMB 工藝,其中 AMB 氮化 硅基板主要用于電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力車(HV)功率半導(dǎo)體,AMB 氮化鋁基板主要用于高鐵、 高壓變換器、直流送電等高壓、高電流功率半導(dǎo)體。

AMB工藝“上車”市場(chǎng)增速亮眼

據(jù)QYResearch調(diào)研報(bào)告顯示,2022年全球AMB陶瓷基板市場(chǎng)規(guī)模大約為4.3億美元,預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到28億美元,未來幾年年復(fù)合增長(zhǎng)率CAGR為26%。


其中,電動(dòng)汽車的快速增長(zhǎng)及SiC加速上車、新能源汽車的快速增長(zhǎng),是最主要的驅(qū)動(dòng)因素。


AMB基板作為SiC的核心配套材料,目前推廣的難點(diǎn)在于成本較高,將伴隨SiC上車在新能源汽車領(lǐng)域取得突破。


目前,隨著碳化硅器件在電動(dòng)汽車、光伏新能源、軌道交通等行業(yè)的應(yīng)用,碳化硅器件市場(chǎng)需求迅速增長(zhǎng),全球碳化硅行業(yè)產(chǎn)能呈現(xiàn)供給不足的情況。為保證襯底供給,滿足以電動(dòng)汽車為代表的客戶未來的增長(zhǎng)需求,各大廠商紛紛開始擴(kuò)產(chǎn)。隨著下游市場(chǎng)的超預(yù)期發(fā)展, 產(chǎn)業(yè)鏈的景氣程度有望持續(xù)向好,SiC 襯底產(chǎn)業(yè)也將直接受益于行業(yè)發(fā)展。


新能源汽車也是該行業(yè)重要的驅(qū)動(dòng)因素之一。全球電動(dòng)汽車持續(xù)快速增長(zhǎng),2022年全球新能源汽車總銷量突破了1000萬輛,同步增長(zhǎng)61%。中國和歐洲成為推動(dòng)全球電動(dòng)汽車銷量強(qiáng)勁增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?022年,中國新能源汽車產(chǎn)銷量分別達(dá)到705.8萬輛和688.7萬輛,同比增長(zhǎng)96.9%和93.4%,新能源汽車產(chǎn)銷量已連續(xù)8年位居全球第一。其中,純電動(dòng)汽車銷量536.5萬輛,同比增長(zhǎng)81.6%。2022年,歐洲純電動(dòng)汽車銷量同比上漲29%,至158萬輛。


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