高性能氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的耐高溫。高強(qiáng)度、高絕緣、耐磨損與耐腐蝕等優(yōu)良性能，在航空航天、軌道交通、電子、醫(yī)藥等高端裝備制造領(lǐng)域廣泛用于軸承滾動(dòng)體、絕緣零部件、特種結(jié)構(gòu)件等，已經(jīng)成為傳統(tǒng)工業(yè)改造、新興產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)中心不可少的重要材料。

氮化硅陶瓷具有如下結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：1，平均原子??；2，原子鍵合強(qiáng)度高3，晶體結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單4，晶格非諧性振動(dòng)低?；谝陨辖Y(jié)構(gòu)特點(diǎn)，日后氮化硅陶瓷講會(huì)成為高熱導(dǎo)率陶瓷重點(diǎn)的一員。

一，原料的選擇 氮化硅具有兩種晶體型：@-SiN4、β-SiN4。高溫下@相為非穩(wěn)定狀態(tài)，已經(jīng)轉(zhuǎn)化為β相。這兩種晶體型的粉體均可作為高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷的原料，其次還可以通過(guò)添加β-SiN4的晶鐘改變?cè)狭降姆植?，促進(jìn)β-SiN4晶粒的生長(zhǎng)。

二，原料的處理  用納米TIC對(duì)氮化硅粉末表面進(jìn)行改性，通過(guò)攪拌過(guò)程中在氮化硅粉體表面包裹上一層納米TIC，形成核-殼符合結(jié)構(gòu)，阻止了氮化硅顆粒和納米TIC在自身團(tuán)聚。納米TIC本身具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性能，可以在一定程度上提升氮化硅陶瓷的熱導(dǎo)率。

三，燒結(jié)助劑的選擇  由于SiN4是強(qiáng)共價(jià)化合物，擴(kuò)散系數(shù)小，致密化所要求的體積擴(kuò)散速度較小，燒結(jié)較為困難，故一般在燒接過(guò)程中需添加一定的燒結(jié)助劑與SiN4粉體表面的二氧化硫反應(yīng)形成液相，通過(guò)溶解-分析機(jī)制使其致密。 

四，成型工藝及熱處理 適當(dāng)?shù)某尚头绞接行У目刂凭ЯＥ帕?，生長(zhǎng)的定向性，可制備出某單一方向上熱導(dǎo)率較高的SiN4陶瓷。冷等靜壓成型是經(jīng)常采用的一種成型方法。此成型方法是在常溫下，通常以橡膠或者塑料作為包套模具材料，采用液態(tài)介質(zhì)不可壓縮性和均勻傳遞壓力性形成的一種方法，一般壓力為100-400MPa。高導(dǎo)熱SiN4陶瓷基本上是在1850攝氏度溫度下長(zhǎng)時(shí)間保溫得到的，在燒結(jié)過(guò)程中需括設(shè)升速率、保溫溫度點(diǎn)、保溫時(shí)間以及氣體壓力等多項(xiàng)指標(biāo)，實(shí)現(xiàn)氮化硅燒結(jié)致密化，減少燒結(jié)缺陷、晶界晶化，提高其熱導(dǎo)率。燒結(jié)過(guò)程通常在氮?dú)獗Ｗo(hù)下、壓力一般為4-6MPa，燒結(jié)時(shí)間一般為10~12h,燒結(jié)后相對(duì)密度可達(dá)98%，為完全消除氮化硅燒結(jié)后的氣孔，同時(shí)使晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大，在氣氛壓力燒結(jié)后需采用熱等靜壓處理，進(jìn)一步提高氮化硅陶瓷的密度及熱導(dǎo)率。

以上分享的是氮化鋁陶瓷與其金屬的結(jié)合技術(shù)，工藝的細(xì)節(jié)方能顯示一個(gè)工廠的實(shí)力，更多陶瓷基板的咨詢(xún)可以咨詢(xún)金瑞欣特種電路，金瑞欣是專(zhuān)業(yè)的陶瓷基板廠家，主營(yíng)氧化鋁陶瓷基板和氮化鋁陶瓷基板，氮化硅陶瓷基板。十多年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品質(zhì)量有保障。