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十年磨一劍,突破陶瓷基板“卡脖子”技術

8 2023-03-24
陶瓷基本
電子封裝,半導體產(chǎn)業(yè)鏈上的核心一環(huán)。

經(jīng)過封裝之后,芯片如同歷經(jīng)洗禮,變成了人們熟知的各種電子器件。
說起封裝技術,就不能不提到美國國家工程院院士、中國工程院外籍院士、香港科學院創(chuàng)院院士汪正平。
早在20世紀七十年代,汪正平院士創(chuàng)新性采用聚合物材料封裝集成電路(IC)芯片(簡稱“塑封技術”),克服了傳統(tǒng)陶瓷和金屬封裝重量大、工藝復雜、成本高等問題,被Intel、IBM等全面推廣,目前塑封技術占全球IC封裝市場95%以上。由于其在封裝技術研發(fā)方面的卓越貢獻,汪正平院士多次榮獲電子封裝領域的榮譽獎項,被譽為“現(xiàn)代半導體封裝之父”。

金瑞欣特種電路技術需要突破的,是電子封裝用陶瓷基板這一賽道!

突破“卡脖子”


在芯片領域,“摩爾定律”一直如神奇般存在。


這一定律是Intel創(chuàng)始人之一戈登·摩爾的經(jīng)驗之談,其核心內(nèi)容為:集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目,在大約每經(jīng)過18到24個月便會增加一倍。換言之,處理器性能大約每兩年翻一倍,同時價格下降為之前的一半。

2022年9月8日,蘋果發(fā)布最新iPhone14手機,其高端產(chǎn)品搭載的A16芯片,已使用4納米制程,晶體管數(shù)量多達160億個,再創(chuàng)新紀錄。

“隨著芯片功率越來越大,集成度越來越高,散熱是個大問題。如果不及時散熱,芯片很可能會燒壞。”利之達創(chuàng)始人陳明祥說,“對于光電器件來說,溫度每升高10℃,其壽命則會降低30%-50%?!?/span>

他介紹,目前廣泛使用的印刷線路板(PCB)采用高分子材料,“通俗來講就是塑料,其導熱和耐熱能力較差,而陶瓷材料具有高導熱、高耐熱、高絕緣、低熱脹、耐腐蝕等特點,技術優(yōu)勢明顯?!?/span>

“制造陶瓷基板并不難,但它需要優(yōu)化材料配方與工藝,需要長時間經(jīng)驗積累,很多上市公司想做,但實際很難做出來。”

由于技術門檻高,陶瓷基板全球市場高度集中。據(jù)公開資料顯示,全球前十大供應商占有80%以上市場份額,其中日本京瓷、美國羅杰斯、中國臺等處于市場領先地位。

從市場需求來看,國內(nèi)陶瓷基板(特別是高端產(chǎn)品)一直依賴進口,屬于典型的“卡脖子”技術。


平面電鍍陶瓷基板(DPC)

歷時多年的自主研發(fā)和產(chǎn)學研合作,金瑞欣終于掌握了電鍍陶瓷基板(DPC)全套制備技術,并實現(xiàn)批量生產(chǎn)和出貨,突破“卡脖子”。

助力挑戰(zhàn)“摩爾定律”極限

封裝時,將芯片放在基板上,基板可以起到支撐芯片、給芯片供電、解決芯片散熱等作用,因此,基板性能對器件質(zhì)量影響極大。


金瑞欣自主研發(fā)的電鍍陶瓷基板(DPC)技術,利用激光打孔、電鍍填孔和圖形電鍍等工藝,將銅沉積于陶瓷基片表面,其工藝結合了材料學、半導體、電化學、激光加工等技術,對材料控制與工藝技術整合能力要求極高。

“我們的陶瓷基板,采用半導體工藝制作,精度較高,線寬、線距可以做到50微米左右?!蹦壳埃袌鏊狡毡樵?00-200微米。

同時,與市場上只能做單面陶瓷基板相比,利之達可以做雙面和多層陶瓷基板,利用激光在陶瓷片上打孔,通過電鍍實現(xiàn)陶瓷片正反面互連,實現(xiàn)垂直集成。

三維電鍍陶瓷基板(3DPC)

打比方說,原來只能做平房,現(xiàn)在我們的工藝解決了電梯問題,就可以做樓房了。


從工藝來看,傳統(tǒng)陶瓷基板需要近1000℃的高溫來制備,而利之達的創(chuàng)新技術,僅需不到300℃,降低了成本,提高了工藝兼容性。

“有了更好的散熱性能,更高的集成度,這些封裝技術創(chuàng)新,將有助于半導體行業(yè)進一步挑戰(zhàn)‘摩爾定律’極限。”

第三代半導體“風起”

目前,金瑞欣出貨的DPC陶瓷基板,主要應用在LED封裝領域,包括半導體照明(白光LED)和殺菌消毒(深紫外LED)。由于LED芯片電光轉化效率較低,大部分電能轉化成廢熱,因此必須解決LED散熱問題,否則直接影響LED器件光效與壽命。


眼下,新能源汽車、人工智能等新興產(chǎn)業(yè)迅速崛起,高性能陶瓷基板需求將越來越大。

“應該說,陶瓷基板與目前廣泛使用的PCB基板,應用領域各有側重?!碧沾苫逯饕獞糜诠β拾雽w、高溫電子器件封裝。

比如,汽車電子尤其是汽車發(fā)動機附近的高溫傳感器、航空航天器件、半導體激光器、熱電制冷器(TEC)、電力電子(IGBT)等?!斑@些應用將前景無限?!标惷飨樘貏e提到,陶瓷基板與正在“風起”的第三代半導體,是最佳搭檔。

21世紀以來,以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表的第三代半導體材料開始初露頭角。

高溫用電鍍陶瓷基板

由于第三代半導體材料具有更大的禁帶寬度、更高的耐熱性,更適合于制作高溫、高頻及大功率電子器件,在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。


目前,市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導體的重要應用領域。“陶瓷基板能很好地匹配第三代半導體的高溫、大功率等特性?!?/span>
“基礎原材料研發(fā)需要大量投入,盡管當下國內(nèi)市場氛圍還是早期,但我們堅定看好它的未來。

縱觀全球陶瓷封裝市場,公開數(shù)據(jù)顯示,日本占據(jù)近50%市場份額,美國和歐洲分別占據(jù)約20%和10%,中國占有率僅在10%左右。

可喜的是,近年來我國陶瓷封裝市場正迅猛發(fā)展。2014年我國陶瓷封裝市場規(guī)模僅為347億元,2023年有望達到1150億元,年復合增長率約為14.3%。

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