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AIN多層陶瓷基板如何實現(xiàn)一體化封裝多層陶瓷基板憑借其靈活布線、三維集成等優(yōu)勢廣泛應(yīng)用于航空航天、衛(wèi)星通訊等射頻領(lǐng)域。為了實現(xiàn)電子整機向高密度，小型化，輕量化的方向發(fā)展，越來越多的電路組件使用多層陶瓷基板封裝一體化封裝技術(shù)（integrated substrate package，ISP）以實現(xiàn)模塊化和器件化。AIN多層陶瓷基板是如何實現(xiàn)一體化封裝的呢？一，為何要實現(xiàn)一體化封裝技術(shù)AlN多層陶瓷相比較于低溫共燒陶瓷和Al2O3共燒陶瓷來說，其導(dǎo)熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)與Si更接近。伴隨著電子設(shè)備的集成度大幅提高，電路中單位面積所散發(fā)的熱量不斷增大，系統(tǒng)對散熱要求也越來越高。二，了解一下AlN一體化封裝工藝結(jié)構(gòu) 1、AlN陶瓷基板制備流程ALN多層陶瓷基板的制備流程與傳統(tǒng)低溫共燒
2022-10-12 http://kndpm.com/Article/AINduocengtaocijiban.html
高溫共燒氮化鋁陶瓷多層基板適應(yīng)功率MCM的要求 一，AIN氮化鋁陶瓷多層基板在功率MCM有廣闊的發(fā)展前景電子設(shè)備向輕型、小型化、高密度、高可靠性發(fā)展，多芯片組裝得到快速發(fā)展。多層布線技術(shù)是多芯片的核心技術(shù)之一，隨著組裝密度的提高，IC芯片集成的提高，多芯片組裝的密度也越來越大，功率MCM產(chǎn)生。功率MCM要求多層基板材料具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)與硅接近等三個重要特征。AIN氮化鋁陶瓷因為具備熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)與硅接近，力學(xué)強度高、電性能優(yōu)良等綜合型優(yōu)點。是功率MCM首先的基板材料和封裝材料。由于AIN與SI熱膨脹系數(shù)相接近、使得AIN基板與SI產(chǎn)生的熱應(yīng)力小。AIN克服了三氧化二鋁與SI熱膨脹系數(shù)不匹配的缺點，采用AIN做基板具備更好的可靠性。由于AIN熱阻比三氧化二鋁低，所
2021-10-30 http://kndpm.com/Article/gaowengongshaodanhua.html
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