[行業(yè)動(dòng)態(tài)]高溫共燒氮化鋁陶瓷多層基板適應(yīng)功率MCM的要求

高溫共燒氮化鋁陶瓷多層基板適應(yīng)功率MCM的要求 一，AIN氮化鋁陶瓷多層基板在功率MCM有廣闊的發(fā)展前景電子設(shè)備向輕型、小型化、高密度、高可靠性發(fā)展，多芯片組裝得到快速發(fā)展。多層布線技術(shù)是多芯片的核心技術(shù)之一，隨著組裝密度的提高，IC芯片集成的提高，多芯片組裝的密度也越來(lái)越大，功率MCM產(chǎn)生。功率MCM要求多層基板材料具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)與硅接近等三個(gè)重要特征。AIN氮化鋁陶瓷因?yàn)榫邆錈釋?dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)與硅接近，力學(xué)強(qiáng)度高、電性能優(yōu)良等綜合型優(yōu)點(diǎn)。是功率MCM首先的基板材料和封裝材料。由于AIN與SI熱膨脹系數(shù)相接近、使得AIN基板與SI產(chǎn)生的熱應(yīng)力小。AIN克服了三氧化二鋁與SI熱膨脹系數(shù)不匹配的缺點(diǎn)，采用AIN做基板具備更好的可靠性。由于AIN熱阻比三氧化二鋁低，所

2021-10-30 http://kndpm.com/Article/gaowengongshaodanhua.html