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[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板助力高功率器件散熱消暑

電路板被很多人譽為電子產(chǎn)品之母，它是計算機、手機等消費電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，在醫(yī)療、航空、新能源、汽車等行業(yè)有著廣泛應(yīng)用?？v觀全球技術(shù)發(fā)展簡史，每一次技術(shù)進步都直接或間接影響著全人類。在電路板誕生之前，電子設(shè)備都包含許多電線，它們不僅會糾纏在一起，占用大量空間，而且短路的情況也不罕見。這個問題對于電路相關(guān)的工作人員來說是個非常頭疼的問題。1925年，來自美國的Charles Ducas提出了一個前所未有的想法，即在絕緣基板上印刷電路圖案，隨后進行電鍍以制造用于布線的導(dǎo)體，專業(yè)術(shù)語“PCB”由此而來，這種方法使制造電器電路變得更為簡單。

2023-08-25 http://kndpm.com/Article/taocijibanzhuligaogo.html
[行業(yè)動態(tài)]2023年AMB陶瓷基板實力企業(yè)榜單

近幾年來，在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進程大幅超過市場預(yù)期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導(dǎo)熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。根據(jù)市場研究機構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復(fù)合增長率為7.5%左右。預(yù)計到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達到約20億美元，年復(fù)合增長率為5.5%左右。

2023-07-24 http://kndpm.com/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板的金屬化工藝

氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的電性能和熱性能，被認(rèn)為是最具有前途的高熱導(dǎo)陶瓷基片材料。為了封裝結(jié)構(gòu)的密封，元器件搭載及輸入、輸出端子的連接等目的，氮化鋁陶瓷基板表面及內(nèi)部均需要金屬化。

2023-07-20 http://kndpm.com/Article/danhulvtaocijiban.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？

隨著電子封裝技術(shù)逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴(yán)重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術(shù)瓶頸。

2023-07-10 http://kndpm.com/Article/taocijibandeshichang.html
[行業(yè)動態(tài)]精密陶瓷：解決半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“卡脖子”問題的關(guān)鍵！

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體制造設(shè)備是我國卡脖子的問題，也是重點鼓勵發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。近幾年，隨著國家政策的調(diào)整，半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)規(guī)模急速增大，半導(dǎo)體制造設(shè)備持續(xù)向精密化、復(fù)雜化演變，高精密陶瓷關(guān)鍵部件的技術(shù)要求也越來越高。

2023-06-30 http://kndpm.com/Article/jingmitaocijiejueban.html
[行業(yè)動態(tài)]航天航空設(shè)備為什么會選擇陶瓷基板作為材料？

在普通耐火陶瓷纖維板中，使用環(huán)氧樹脂和玻璃纖維板。除玻纖板外，其余均為有機板。因此，在宇宙射線的照射下很容易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，改變其分子結(jié)構(gòu)，使產(chǎn)品變形。這就是它不能用于航空航天的原因。與陶瓷相比，普通PCB基板密度更低、重量更輕，有利于長距離運輸。環(huán)氧樹脂板韌性高，不易碎。

2023-06-28 http://kndpm.com/Article/hangtianhangkongsheb.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板制備方法

陶瓷金屬化技術(shù)起源于20世紀(jì)初期的德國，1935年德國西門子公司Vatter第一次采用陶瓷金屬化技術(shù)并將產(chǎn)品成功實際應(yīng)用到真空電子器件中，1956年Mo-Mn法誕生，此法廣泛適用于電子工業(yè)中的氧化鋁陶瓷與金屬連接。對于今天，大功率器件逐漸發(fā)展，陶瓷基板又因其優(yōu)良的性能成為當(dāng)今電子器件基板及封裝材料的主流，因此，實現(xiàn)陶瓷與金屬之間的可靠連接是推進陶瓷材料應(yīng)用的關(guān)鍵。

2023-06-21 http://kndpm.com/Article/taocijibanzhibeifang.html
[行業(yè)動態(tài)]常用的八大陶瓷基板材料導(dǎo)熱率排行榜

導(dǎo)熱率，也稱為熱導(dǎo)率，是描述物質(zhì)傳遞熱量能力的物理量。它表示單位時間內(nèi)，單位面積上的熱量傳遞量與溫度梯度之比。導(dǎo)熱率越大，物質(zhì)對熱量的傳遞能力越強。在熱傳導(dǎo)過程中，導(dǎo)熱率是一個非常重要的參數(shù)，決定了物質(zhì)的熱傳導(dǎo)速度。在工程和科學(xué)研究中，導(dǎo)熱率通常用來評估材料的熱性能，以便進行材料的選擇和設(shè)計。

2023-06-19 http://kndpm.com/Article/changyongdebadataoci.html
[行業(yè)動態(tài)]常見陶瓷基板PCB板介紹

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-06-16 http://kndpm.com/Article/changjiantaocijibanP.html
[行業(yè)動態(tài)]DPC陶瓷基板國產(chǎn)化突破，下游多點開花成長空間廣闊

熱是影響大功率半導(dǎo)體器件可靠性的關(guān)鍵因素，根據(jù)化合積電，電子元器件 55%故障率來自熱失效，電子元器件溫度每升高 2 度，可靠性下降 10%。電子元器件器件熱管理包括封裝和系統(tǒng)性能兩個部分。從封裝角度出發(fā)，器件散熱主要依靠熱傳導(dǎo)方式，熱量沿著芯片-鍵合層-基板-散熱器傳導(dǎo)，最后通過對流耗散到空氣中。封裝基板作為大功率半導(dǎo)體器件重要的散熱通道，其選擇和結(jié)構(gòu)設(shè)計對性能至關(guān)重要。

2023-06-09 http://kndpm.com/Article/DPCtaocijibanguochan.html
[行業(yè)動態(tài)]一文了解直接鍍銅（DPC）陶瓷基板

直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。

2023-05-29 http://kndpm.com/Article/yiwenliaojiezhijiedu.html
[行業(yè)動態(tài)]DBA直接覆鋁陶瓷基板：功率器件封裝材料來勢洶洶?。?

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中，直接覆鋁陶瓷基板（DBA基板）因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目，成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。今天，我們就來一起探討DBA基板的特點和應(yīng)用前景。

2023-05-19 http://kndpm.com/Article/DBAzhijiefulvtaociji.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http://kndpm.com/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[常見問題]銅基板和陶瓷基板有什么區(qū)別呢？

銅基板陶瓷基板都是具有電氣性能的電路板，都使用在高頻和高溫產(chǎn)品領(lǐng)域，但是陶瓷基板銅基板有什么區(qū)別呢...

2023-04-07 http://kndpm.com/Article/tongjibantaocijibany.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁（AlN?）陶瓷基板的制備工藝

氮化鋁陶瓷具備優(yōu)異的綜合性能，是近年來受到廣泛關(guān)注的新一代先進陶瓷，具有高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、低介電損耗、優(yōu)良的電絕緣性，與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)及無毒性等優(yōu)點，使其成為高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料。

2023-03-31 http://kndpm.com/Article/danhualvAlNtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊構(gòu)成各部件的材料

目前，功率器件和模塊主要采用引線鍵合的互連工藝和平面封裝結(jié)構(gòu)。圖1為普通IGBT模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。從上圖可以看出，IGBT模塊共由7層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，大致可以分成三部分：芯片、DBC和散熱基板。每部分之間由焊錫連接而成。IGBT是在晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，但與傳統(tǒng)的晶閘管相比，IGBT模塊省去了內(nèi)部的陰極和陽極金屬層，分別由芯片表面引出的焊線及DBC上層銅板代替。除此之外，原先的鎳金屬緩沖層也被去掉了，其代價是單個IGBT芯片的容量減少。為了彌補這一缺陷，需要在DBC板上安置更多的IGBT芯片。IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異，在器件的工作過程中會出現(xiàn)意想不到的問題。物理上，熱導(dǎo)率代表了物體導(dǎo)熱性能的

2023-03-16 http://kndpm.com/Article/IGBTmokuaigouchengge.html
[行業(yè)動態(tài)]制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內(nèi)市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到底是什么因素阻礙了這么優(yōu)秀的的陶瓷基板發(fā)展呢？這就得從氮化硅獨特的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)說起。晶格氧對高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的影響氮化硅的主要傳熱機制是晶格振動，通過聲子來傳導(dǎo)熱量。晶格振動并非是線性的，晶格間有著一定的耦合作用，聲子間會發(fā)生碰撞，使聲子的平均自由程減小。另外，Si3N4晶體中的各種缺陷、雜質(zhì)以及晶粒界面都會引起聲子的散射，也等效于聲子平均自由程減小，從而降低熱導(dǎo)率。▲氮化硅燒結(jié)體的典型微觀結(jié)構(gòu)研究表明，在諸多晶格缺陷中，晶格氧是影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http://kndpm.com/Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當(dāng)前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://kndpm.com/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行業(yè)動態(tài)]PCB線路板什么是沉金？沉金有哪些優(yōu)點？

沉金，是電路板加工中的一道工序，就是電路圖中所需焊接與貼片的PAD，沉上金，一防止焊盤氧化，二是利與焊接。順便講一下沉金板與鍍金板的區(qū)別

2023-02-15 http://kndpm.com/Article/PCBxianlubanshimeshi.html
[行業(yè)動態(tài)]高功率半導(dǎo)體激光器過渡熱沉封裝技術(shù)研究

摘要：近些年，在市場應(yīng)用驅(qū)動下，半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來越高，器件產(chǎn)生的熱量也在增加，同時封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊，這對半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的要求。當(dāng)今，激光器的外延生長技術(shù)和芯片加工工藝已經(jīng)成熟，封裝技術(shù)的提升已經(jīng)成為解決散熱問題的關(guān)鍵，其中過渡熱沉技術(shù)能有效降低激光器的熱阻，提高可靠性，而且便于操作，已經(jīng)是高功率半導(dǎo)體激光器封裝的首要選擇。從過渡熱沉散熱原理、熱應(yīng)力、過渡熱沉材料和焊料選擇等方面對過渡熱沉技術(shù)進行了研究，并對未來的研究熱點進行了探討。1 研究背景半導(dǎo)體激光器具有體積小、質(zhì)量輕、能耗小、易調(diào)制、可以批量化生產(chǎn)等眾多優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、信息通信、醫(yī)療、生命科學(xué)和軍事等領(lǐng)域。雖然半導(dǎo)體激光器電光轉(zhuǎn)換效率高，但在激光器芯片有源區(qū)內(nèi)存在非輻射復(fù)合損耗和自由載流子的吸收，工作時會產(chǎn)生

2023-01-30 http://kndpm.com/Article/gaogonglvbandaotijig.html